автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему: Разработка метода контроля и исследование процессов прямого высокочастотного плавления и направленной кристаллизации в холодном контейнере

автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему: Разработка метода контроля и исследование процессов прямого высокочастотного плавления и направленной кристаллизации в холодном контейнере

Автореферат диссертации по теме "Разработка метода контроля и исследование процессов прямого высокочастотного плавления и направленной кристаллизации в холодном контейнере"

- российская академия наук

институт ОЧЦЕИ $уз:г.й!

На правах рукописи УЖ 537.226.536.421.1

ТАНЕЕВ Николай Пэтрович

РАЗРАБОТКА М?ГОД./\ КОНТРОЛЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПРЯМОГО ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПЛАВЛЕНИЯ И :1М1РАВЛЕКНОР КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ХОЛОДНОМ КОНТЕЙНЕРЕ

05.27.06 - технология полулроводнжов и материалов электронной техники

Автореферат диссертации и:- соискание ученой степени кандила.'а технических на ух

российская академия наук институт общей физики

На правах рукописи УДК 537.226.536.421.1

ХАНЕЕВ Николай Петрович

РАЗРАБОТКА МЕТОДА КОНТРОЛЯ И" ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПРЯМОГО- ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПЛАВЛЕНИЯ И НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ХОЛОДНОМ КОНТЕШЕРЕ

05.27.06 - технология полупроводников и материалов электронной техники

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидат а технических наук

Работа выполнена в Институте сбций фччикй РАН.

Научные консультанты: акздемик

кандидат технических наук Б.И. Александров Официальные оппоненты: доктор технических наук

A.M. Балбатов, кандидат химических каук Н.Г. Горащенкс Ведущая организация: Институт кристаллографии РАН

Защита диссертации состоится "J-1>" 1994 г.

f!Гчасов на заседании Специализированного совета Д.003.49.04 Института общей физики РАН по адресу: 11Т942, Москва, -ул. Вавилова, за.

С диссертацией мокно ознакомиться в библиотеке Института общей физики РАН.

Автореферат разослан t^-/" 1994 г.

Ученый секретарь Специализированного совета кандидат физ.-мат. наук

общая характеристика работы

Актуальность теш. Методом направленной кристаллизации в холодном контейнера при прямом высокочастотном нагреве били получе ни монокристаллы большого числа простых и сложных оксидов, твердых растворов на их осиово, а также недавно были Еиращены монокристаллы бескислородного высокотемпературного соединения - карбида бора.

Наиболее впдакцимся результатом применения этого метода стало создание технологии крупных монокристаллов кубических оксидов циркония и гафния, названных фианитами. Эти монокристаллы используются в ювелирной промышленности, в оптике, предпринимаются попытки использовать его в'качестве лазерной матрицы. Одним из наиболее перспективных применений фианита является, по-видимому, применение зго как материала подложек для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, полулрозощгиков и оксидов металлов.

Б последнзо время больиой интерес вызывают монокристаллы частично стабилизированного оксида циркония, также выращиваемые данным методом и обладающие прекрасными механическими свойствами, химической и термической стойкостью. Возможно их пршенение для изготовления медицинских, рекущгос и аС] ивных инструментов, мельниц, фильер, подшипников и так далее.

В значительней, а п некоторых случаях, даже в решашей, степени возможность пр11мэнения монокристаллов на основе диоксида циркония зависит от их размеров, причем в первую очередь поперечных, а тзкге качества: формы монокристалла и связанной с ней однородности оптических, механических и прочих сгойств по ого объему. Это же относится и к другим монокристаллам, колучпешм мето-

дом направленной кристаллизации в холодном контейнере, поскольку практическому использованию большинства из них препятствует то, что о;ш имеют недостаточные размеры. К тому же, из-за того, что управление процессом получения монокристаллов носит субъективный характер, воспроизводимость этого процесса недостаточна.

Таким образом, существовала потребность в детальном экспериментальном исследовании процессов плавления и направленной кристаллизации в холодном контейнере и контроле этих, процессов с целью создания оптимальных условий для роста кристаллов. Однако решению этих задач препятствовали невозможность визуального наблюдения процессов плавления и кристаллизации и отсутствие методов, позволяющих получать достаточную информацию о состоянии ванны расплава. Кроме того, индукционный нагрев оксида в холодном контейнере является многопараметрическим процессом, в котором состояние нагрузки определяет режим работы генератора и наоборот - от режима работы генератора зависит состояние нагрузки. Поэтому контролировать необходимо всю систему генератор-нагрузка (под нагрузкой подразумевается контейнер и его содержимое).

Цель работы. 1. Разработка метода, позволяющего контролировать состояние системы генератор-нагрузка непосредственно во время процесса получения монокристаллов методом направленной кристаллизации в холодном контейнере при прямой высокочастотном нагреве .

2. Исследование процесса прямого высокочастотного плавления диэлектриков в .холодном контейнере на примере диоксида циркония.

3. Исследование процесса направленной кристаллизации в холодном контейнере как процесса роста агрегата кристаллов на примере кубического оксида циркония.

Научная новизна. Изучен процесс процесс формирования ванны расплава в холодном контейнере при прямой высокочастотном нагреве в зависимости о^ ряда технологических параметров. Показано, что от направления распространения расплава на начальном этапе плавления зависят'тепловые и.геометрические параметры ванны расплава. Установлено, что в реальных условиях наблюдаются два режима плавления пористого диэлектрика - стационарный и квазижриодаческий, определяющиеся соотношением пороговой плот сти модности и плотности -запасеемоЗ загрузкой мощности, которые зависят от технологически параметров (исходной пористости загрузки холодного контейнера, ьыделяще^ся в расплаве молдаости, копщости тепловых потерь загрузки). Показано,-каким образом форма фронта кристаллиза-1Ш: влияет на структуру блока кристаллов, выраеатземого направленной кристаллизацией ь холодном контейнере. Установлена зависимость процесса вырождения- в- растущем блоке кристаллов кубического оксида циркония от перегрева расплава. Обнаружено, что на границах-между'растущими кристаллам. кубического оксида циркония существуют канавки. 'Предложено' использовать механизм процесса вырождения . изложенный б теории Тяллерь, для объяснения экспериментальных донных.

.Практическая ценность. Разработан метод контроля состояния системы генератор-нагрузка и создан реализ5 его измэрительно-зычисллтэльткЯ комплекс, что дает возможность контролировать на Есех стадиях технологический процесс получеш;я монокристаллов, а также изучать процессы, происходящие в системе. Данный метод открывает перспективу автоматизации управления процессом получе1ия монокристаллов. Показано, что зависимость мощности собственных потерь холодного контейнера мошо использовать для контроля направления'распространения расплава на начальном этапе плавления.

Даны рекомендации по получению крупных, качественных кристаллов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Метод контроля состояния системы генератор-нагрузка.

2. Установление особенностей формирования ванны- расплава при прямом высокочастотном плавлении в холодном контейнере в зависимости от ряда технологических параметров: исходной пористости загрузки холодного контейнера, выделяющейся в расплаве мощности* мощности тепловых потерь загрузки.

3. Установление возможности осуществления в реальных условиях двух режимов плавления порис-того диэлектрика - стационарного и квазипериодического.

4. Установление зависимости мощности собственных потерь холодного контейнера от размеров вашш расплава при ее формировании и показ возможности использования этой зависимости для контроля направлений распространения расплава на начальном этапе плавления.

5. Установление зависимости размеров и формы кристаллов, выращиваемых методом направленной кристаллизации-в холодном контейнере при прямом высокочастотном нагреве, от' перегрева расплава и формы фронта кристаллизации.

6. Установление факта существования канавок на границах между кристаллами и предложение использовать механизм, изложенный в теории Тиллера, для объяснения процесса вырождения в растущем блоке кристаллов. •

Апробация работы. Основные результаты работы докладывалась и обсуждались на 7-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Москва, 1988 г.), 2-ом Советско-Индийском симпозиуме по росту кристаллов (Москва, 1991 г.), 8-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Харьков, 1992 г.), 10-Я Международной конференции

по росту кристаллов (Сан Диего, США, 19У2 г.), семинарах отдела ФГТ ИОФ РАК.

Публикации. Материалу диссертации ^публикованы в 16 печатных работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, чвтирех глав, заключения, списка литературы, валючащего 145 наименований, приложения и содержит 183 страницы (общий объем), 42 рисунка, 1 таблицу.

Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулированы задачи' работы, кратко изложено ее содержание, приведены сведения о публикациях и апробации работы, а также приведены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвяшенэ обзору литературы. В вей рассмотрены теория индукционного нагрева материалов, специфические особенности плавления оксидов в холодном контейнере, элементы технологии монокристаллов оксидов. .Дано описание технологического оборудования, используемого для получения монокристаллов оксидов. Рассмотрены существовавшие до ciu пор методы контроля состояния ванны расплава при прямом высокочастотном нагреве , холодном контейнере и показано, что эти методы не позволяют количественно охарактеризовать- состояние- ванны расплава непосредственно во время технологического процесса за исключением стадии, когда расплав находится в стационарном состоянии. Подробно рассмотрен ряд теоретических работ, в которых процесс индукционного плавление представляется как процесс распространения в диэлектрике волны плавления, аналогичной волне горения. Ввиду практического отсутствия в литературе

работ, посвященных изучению направленной кристаллизации в холодном контейнере как процесса роста агрегата кристаллов, большое внимание уделено рассмотрению работ, в которых изучался процесс йыровдония, протекающий при направленной кристаллизации в растущем агрегате кристаллов различных веществ. Показаны расхождения ьо взглядах разных'исследователей на механизм, этого процесса.

' Вторая глава посвящена разработке метода контроля состояния системы генератор-нагрузка. Суть метода состоит в непрерывном измерении мощностей тепловых потерь загрузки холодного контейнера по разным направлениям и рабочих параметров генератора. Мощность тепловых потерь загрузки слагается из мощностей потерь через стенку Рст, дно контейнера Рда и излучением Ризл через его верхнюю, открытую рторону. Мощности потерь чорез контейнер определялись посредством измерения изменения температуры охлаждающей вода после прохождения ее, при постоянном расходе, через стенку и дно контейнера. Мощность потерь излучением измеряли либо с помощью радиационного пирометра, либо применяя специально изготовленный водоохлавдаемый экран, закрывающий контейнер СЕерху. Также измерялись следующие параметры генератора: анодное напряжение Еа; напряжение на индукторе Ч^д! постоянная составляющая анодного тока 1а0; постоянная составляющая тока сетки частота генерации 1; положения регуляторов мощности К^ и коэффициента обратной связи Кс ; мощность, расходуемая на нагрев анода лампы, Ра; мощности тепловых потерь на контуре Рк и индукторе Ринд; а также температура охлаждающей воды на входе в установку Т0 в и мощность тепловых потерь от ростовой камеры Рр к- Кроме того, определялся такой важнейший параметр системы генератор-нагрузка, как мощность, выделяющаяся в расплаве, для чего было выведено следупцее выражение:

Рр « Р0 - <ра + рк + ринд + + V'

где Р0 = Еа1а0 - мощность, подводимая р анодную даль лвилы; Р

мощность тепловых потерь на сетке лампы; Р^ -- Х^Н^р - мощность тепловых потерь на гридлике (Н^ - электрическое сопротивление гридлика). Значения Р^ и Н^ известии и практически не меняются.

Таким образом, данным методом предусматривается как измерение параметров, которые использовались ран*, для контроля состояния ванны расплава или режима работа генератора, так и параметров, иэ использовавшихся ранее для этой цели. Однако ядром даино-го метода является возможность измерения мощности, выделяющейся в расплаве, на всех стадиях реального технологического процесса, что позволяет количественно оценивать состояние объекта. С одной стороны, когда эта мощность связывается с измерениями теплоотвода от холодного контейнера по разткм направлениям, таким объектом является Еанна расплава. С другой стороны, им является высокочастотный генератор - при рассмотрении выделяющейся в расплаве мощности в связи с параметрами работы генератора. Таким образом, данный метод позволяет количественно оценивать систему генератор-нагрузка з целом. ¡Сроме того, количественные характеристики дополняются качественным и наоборот. Например, при контроле состояния ванны расплава ее количественные т ловые характеристики дополняются частотой генератора, которая качественно, но очень чутко, характеризует тенденцию в ванне, то есть показывает какой процесс, плавление или кристаллизация, превалирует в ней в данный момент.

Поскольку для применения данного метода контроля системы го-нератор-нагрузкь требуется получение информации о большом числе ее параметров в течение длительных отрезков вр=ме:ш, обработка

этой информации и ее накопление, был создан изморительно-вычислитолькый комплекс, в котором использовались унифицированные блоки комплекса КАМАК и персональный компьютер. Измерительно-вычис.штбльный комплекс обеспечил автоматизацию измерений, позволил вычислять требуемые параметры непосредственно во время технологического процесса, визуализировать в удобной форме прямо измеряемые и вычисляемые параметры в реальном масштабе времени и, следовательно, контролировать с большой степенью точности состояние системы генератор-нагрузке. Комплекс дал возможность накапливать, хранить и обрабатывать за короткое время большие массивы измерительной информации, что позволяет всесторонне изучать процессы, протекающие в системе генератор-нагрузка.

Даны оценки инструментальных и методических погрешностей измерений. Приведены примеры практического использования метода, демонстрирующие его высокую чувствительность и информативность.

Третья глава посвящена экспериментальному исследованию на примере диоксида циркония процесса прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере. С этой целью проводились серии плавок шихты двух стандартных видов - с исходной пористостью е1 = 0,78 и = 0,86. При этом регистрировались параметры системы генератор-нагрузка, определялась масса расплава, зарисовывалась и . обмерялась его конфигурация в процессе наплавления. Результаты измерений приведены на рис. 1-3.

Установлено, что плавление загрузки на начальном его этапе может происходить в двух направлениях - или преимущественно к стенке, или преимущественно к дну контейнера. При плавлении шихты с е1 расплав распространялся преимущественно к стенке контейнера и достигал ее в момент времени Б (рис. 1-3), после чего в момент В начиналась кристаллизация расплава, в результате которой форми-

РИС' ВРеМ6ННЫ9 3аВИСИМОС™ н расплава при плавлении

Рис. 2. Временные зависимости выделяющейся в расплаве мощности и мощностей тепловых потерь от загрузки холодного контейнера при плавлений шихты с е1 (1 -Рр1, 3 - Рст1) и е2 (2 - Рр2, 4 - Рст2, 5 - Рда,,

Рис. 3. Временные зависимости мощности, запасаемой загрузкой се, (1 - Рзап1) и е2 (2 - Рзап2). и ее плотности (3 - Рзвш/Н,, 4 - Рзап2/М2); Рзап = Рр -(Рст + рдн + ризл>

ровался слой закристаллизовавшегося расплава, образуиций дно кольцевой ванны расплава. Затем кристаллизация сменялась-медленным плавлением, этот слой локально проплавлялся, расплаЕ снова контактировал с шихтой и быстро формировалась новая кольцевая ванна на более низком уровне и т. д. При этом центральная часть загрузки контейнера плавится медленно и большая ее часть остается нерасплавленной. При плавлении шихты с е? расплав распространялся преимущественно к дну контейнера и только вблизи его расходился к стонке, при этом плавление происходило равномерно и расплавлялась почти вся загрузка.

Показано, что от напраЕлега1я распространения расплава на этом этапе зависят тепловые параметры ванны расплава. При •распространении расплава по направлению к стенко контейнера' быстро увеличивается' коэффициент. заполнения'окна индуктора расплавом

где 8В - площадь максимального горизонтального сечения вашш

расг плава; Би - площадь окна игдуктора; 2К - площадь горизонтального -сечения одной из секций контейнера; п - число секций. Так как Бк и п постоянны, то .кд зависит только от- Бв. С увеличением .кд увеличивается потокосцепление с ванной, повышается значение коэффициента мощности индуктора соб<,о и, следовательно, возрастает Рр, причем относительно малое увеличение 'к3 влечет за собой существенное увеличение Рр. При преимущественно вертикальном ,распрост: ранении расплава 1ц увеличивается'медленнее, чем при горизонтальном, поэтому перегрев расплава, который характеризуется 'величиной Р.,ап/М (рис. 3), в этом длучае меньше.

Показано, что ход процесса плавления на начальном этапе в

основном определяет параметры получаемой в итоге стационарной ванны расплава, то есть условия последующей кристаллизации.

Установлено, что в реальных условиях наблюдаются два режима плавления.пористого диэлектрика - стационарный, при котором происходит устойчивое плавление посредством капиллярного растекания расплава по порам, и квазипериодический, при котором чередуются стадии быстрого растекания и медленного кондуктивного плавления -определяющиеся соотношением пороговой плотности мощности и плотности запасаемой- загрузкой мощности, которые зависят от технологических параметров (исходной пористости загрузки холодного контейнера, выделяющейся в расплаве мощности, мощности тепловых потерь загру.зки). Возможность существования таких режимов была теоретически показана Э.-Н. .Романовым и результаты его работы качественно согласуются с реальной картиной плавления. Показано, что преимущественным направлением распространения расплава является направление, в котором осуществляется надпороговый стационарный режим плавления. Дака экспериментальная оценка значения пороговой плотности мощности для шихты гтОг с исходной пористостью равной 0,78, ее значение лежит в диапазоне 22-30 кВт/кг.

Установлено, что по мере увеличения диаметра и высоты ванны расплава в процессе ее формированиямощности собственных потерь стенки и дна холодного контейнера уменьшаются, причем особенно сильно при подходе расплава к стенке. Показано, что регистрируя изменения во времени мощностей потерь, отводимых водой от стенки и дна контейнера, можно на начальном этапе плавления (до достижения расплавом стенки или дна контейнера) контролировать направления распространения расплава, что расширяет возмохнозти разработанного метода контроля состояний системы генератор-нагрузка. Показано, что посла, того, как расплав достигает стенки холодного

контейнера, собственными потерями контейнера можно пренебрегать из-за их малой величины.

Четвертая глава посвящена исследованию процесса направленной кристаллизации в холодном контейнере как процесса заполнения кристаллами объема расплава на примере кубического•оксида циркония. С помощью графического построения показано, каким' образом при данном методе выращивания форма Фронта кристаллизации -влияет на структуру блока кристаллов: их число, размеры и форму. •

Экспериментально исследовано влияния перегрева расплава на процесс вырождения, то есть уменьшения числа кристаллов в растущей блоке, связанного с отклонением границы между кристаллами от направления, перпендикулярного фронту кристаллизации. Установлено, что с уменьшением перегрева расплава процесс.вырождения протекаем быстрее и поперечные размеры выживпийс кристаллов-увеличиваются. , '

Обнаружено, что на границах между растущими .кристаллами кубического оксида циркония существуют-канакки. Дрро объясньние полученных экспериментальных данных-в рамках теории.-Тяллера, £ которой процесс вырождения при плоской • структ^е фронта кристаллизации рассматривается на основе механизма роста, в.-канавках.. Показано, что- отст механизм объясняет-также характер, зависимости процесса вырождения-от скорости Еыращивани'я и-содержания -примесей в расплава.

В приложении приведен акт использования результатов диссертационной работы.

В заключении сформулированы основные результаты работы: 1. Разработан метод контроля состояния системы генератор-нагрузка, который дает возможность на всех стадиях технологического процесса получения монокристаллов в холодном контейнере при

прямом высокочастотном нагреве оценивать как качественно, так и количественно состояние составляющих системы, изучать их взаимодействие и реакцию на внешние воздействия, а также детально изучать работу генератора в разных режимах и различные процессы, протекающие в расплаве и твердой фазе материала.

2. Создан измерительно-вычислительный комплекс, обеспечивающий методу контроля состояния системы генератор-нагрузка высокую чувствительность и информативность.

3. Экспериментально исследован процесс формирования ъашш расплава в холодном контейнере при прямом высокочастотном нагреве. Установлено, что от направления распространения расплава на начальном этапе процесса плавления зависят величины выделяющейся в расплаве мощности, мощности тепловых потерь загрузки, перегрева расплава, а также объем и форма ванны расплава. Показано, что ход процесса плавления на начальном этапе в основном определяет условия последующей .кристаллизации.

4. Экспериментально установлено, что в реальных условиях наблюдаются два режима, плавления пористого диэлектрика - стационарный и квазипершдический, определяющиеся соотношением пороговой плотности мощности, зависящей от исходной пористости загрузки, и плотности запасаемой загрузкой мощности, которая, в свою очередь, определяется выделяющейся в расплаве мощностью и мощностью тепловых потерь загрузки. Показано, что преимущественным направлением распространения расплава является направление, в котором осуществляется надпорогоЕый стационарный режим плавления. Дана экспериментальная оценка значения пороговой плотности мощности для шихты гг02 с исходной пористостью равной 0,78.

5. Экспериментально установлено, что мощности собственных потерь стенки и дна холодного контейнера зависят от диаметра и

высоты ванны расплава в процессе наплавления. Показано, что используя эти зависимости можно на начальном этапе плавления контролировать направления распространения расплава.

6. Проведено исследование процесса направленной- кристаллизации в холодном контейнере. Показано, каким образом форма фронта. ' кристаллизации влияет на структуру блока кристаллов. Экспериментально установ пена зависимость процесса вырождения в растущем блоке кристаллов кубического оксида циркония от перегрева распла- • ва. Обнаружено, что на границах между растущими кристаллами кубического оксида циркония существуют канавки. -Показано, что'экспериментальные данные могут 'быть объяснены, в рамках теории Тиллера.-

7. Даны рекомендации -по .получению крупных, качественных ■ кристаллов.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Ломонова Е.Е., Осико В.В., Ханеев Н.П., Яковлев A.A. Методика исследования процессов плавления и кристаллизации материалов в холодном контейнере с использованием прямого высокочастотного нагрева. Препринт ИОФАН.* 16. М., 1983. 10 е..

2. Александров В.И , Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханезв Н.П. Эксперимэнтальное изучение процессов тбплоперено-са при плавлении диэлектриков с помощью прямого ВЧ-на'грева в холодном.контейнере //"Расширенные тезисы-7 Всесоюзной конференции по-росту .кристаллов;-.V., '1988. Т. 3. С. 23.

3. Александров З.Ш, Войцицкий Е.П,, Ломонова Е.Е, Осйко_В.В., Xaiicerä Н.П. Зксперимьнтальное изучение процессов теплоперено-са при плавлении диэлектриков с помощью прямого ВЧ-нагрева в холодном контейнере.Препринт ИОФАН X 74. М., 1989. 16 с. Александров В.П., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осйко В.В.,

Ханеев Н.П.'Метод исследования процессов плавления и кристаллизации материалов в холодном контейнере при прямом ВЧ-нагре-ве. Препринт ИОФАН * 83. М., 1990. 13 с.

5. Александров В.И., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Контроль направлений распространения расплава на начальном этапе прямого ВЧ-плавления в холодном контейнере. Препринт ИОФАН * 5. М., 1991. 14 с.

6. Александров В.И., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Метод исследования процессов плавления и крис лл-лизации материалов в холодном контейнере при прямом высокочастотном нагреве // Приборы и техника эксперимента. 1991. * 3. С. 231-234.

7. Александров В.И., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Изучение плавления диэлектриков при прямом высокочастотном нагревании в холодном контейнере // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. Т. 27. * 5. С. 983-987.

8. Aleksandrov V.I., Voytsytsky V.P., Lomonova Е.Е. ,.0siko V.V., Penyaz D.L., Khaneev N.P. Study of the directional crystallization process in a cold container by direct HP heating // Abstracts of Second Soviet-Indian Symposium on crystal growth and characterization (laser and nonlinear crystals), Moscow, '1991. P-2.

9. Александров В.И., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Исследование процессов плавления и кристаллизации материалов в холодном контейнере при прямом высокочастотном нагреве //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1991. Т. 27..* 10. С. 2167-2171.

10. Александров В.И., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Метод исследования процессов плавления и кристал-

_лизацки материалов в холодном контейнере при прямом ВЧ-нагреве // Расширенные тезисы 8 Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Харьков, 1992. Т. 3. Ч. 1. С. 152-153.

11. Александров В.И., Войщщкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Контроль направлений распространения расплава на начальном этапе прямого ВЧ-длавления в холодном контейнере // Расширенные тезисы 8 Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Харьков, 1992. Т. 3. Ч. 1. С.-154-155.

12. Александров В.И., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев К.П. Изучение процесса направленной кристаллизации в холодном контейнере при -прямом ВЧ-нагреве // Расширенные тезисы 8 Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Харьков, 1992. Т. 3. Ч. 1. С. 156.

13. Александров В.И., Войцицкий В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Способ контроля направлений распространения расплава на начальном этапе прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере // Приборы и техника &ксперимента. -1992. .¡6 4. С. 212-217.

14. Александров В.И., ВойщтцкиЯ В.П., Ломонова Е.Е, Осико В.В., Ханеев Н.П. Контроль направлений распространения расплава на начальном этапе прямого ВЧ плавления'в. холодном контейнере // Журнал технической физики. 1992. Т. 62. В. 8. С. 180-186.

📎📎📎📎📎📎📎📎📎📎